Texas Instruments präsentiert neue Power MOSFETs mit reduziertem Wärmewiderstand für verbesserte Kühlung in DC/DC-Hochstromanwendungen

DualCool™ NexFET™ Power-MOSFETs mit innovativem Gehäuse bieten bis zu 80 Prozent bessere Wärmeabführung und bis zu 50 Prozent höhere Stromdichte in Gehäusen mit Standardgröße

DALLAS (11. Januar 2010) – Texas Instruments (TI) hat heute die branchenweit ersten Power-MOSFETs mit Standard-Footprint vorgestellt, bei denen die Wärmeabführung über die Gehäuseober- und Unterseite erfolgt und die sich somit besonders für DC/DC-Hochstromanwendungen eignen. Die DualCool™ NexFET™ Power-MOSFETs ermöglichen kleinere Endgeräte und bieten einen bis zu 50 Prozent höheren Stromdurchsatz durch den MOSFET sowie ein verbessertes Wärmemanagement im Vergleich zu handelsüblichen Standard MOSFET-Gehäusen. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com/dualcool-prde.

Mit den fünf NexFET-Bausteinen der neuen Produktfamilie können Entwickler von Computer- oder Telekommunikationsanwendungen Prozessoren mit einer höheren Stromaufnahme und größerem Arbeitsspeicher verwenden und gleichzeitig Platz auf der Leiterplatte einsparen. Die MOSFETs mit ihrem fortschrittlichen Gehäusekonzept können in zahlreichen Endanwendungen eingesetzt werden, darunter beispielsweise Desktop-PCs, Server, Telekommunikations- oder Netzwerksysteme, Basisstationen oder Industriesysteme mit hoher Stromaufnahme.

„Unsere Kunden fragen verstärkt nach DC/DC-Stromversorgungen mit höherer Leistungsdichte und geringerem Volumen, um die Anforderungen an eine erhöhte Rechenleistung in Infrastrukturanwendungen erfüllen zu können“, erläutert Steve Anderson, Senior Vice President und Worldwide Manager des Geschäftsbereichs Power Management bei TI. „Die DualCool NexFET Power-MOSFETs leiten bei gleicher Gehäusegröße mehr Stromdurchsatz und sind damit die perfekte Antwort auf diese Anforderung.“

Die wichtigsten Features und Vorteile der DualCool NexFET Power-MOSFETs:
• MOSFETs für einphasige 35-A-Synchron-Abwärtswandler; für die High- und Low-Side-Schalter in DC/DC-Hochstromanwendungen werden jeweils Einzel-MOSFETs verwendet.
• Durch die verbesserte Gehäusetechnologie reduziert sich der Wärmewiderstand zur Gehäuseoberseite von 10 º bis 15 °C pro Watt auf 1,2 °C pro Watt. Die Wärmeableitfähigkeit erhöht sich damit auf bis zu 80 Prozent.
• Effiziente Wärmeabführung nach zwei Seiten ermöglicht bis zu 50 Prozent höheren Strömdurchsatz durch den FET. Entwickler sind somit flexibler und können Prozessoren mit einer höheren Stromaufnahme verwenden, ohne die Endgeräte größer dimensionieren zu müssen.
• Industriestandard-SON-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 6 mm vereinfacht das Design und reduziert die Kosten, da gegenüber der Verwendung zweier Standard-Gehäuse 30 mm2 eingespart werden.

Verfügbarkeit und Preise
Die DualCool NexFET-Bausteine sind ab sofort von TI und seinen autorisierten Vertriebspartnern in größeren Stückzahlen erhältlich. Der empfohlene Verkaufspreis für den CSD16325Q5C beträgt bei Abnahme in 1000er Einheiten $ 1,47 pro Stück. Muster und Applikationsberichte sind ebenfalls erhältlich.

Auf den folgenden Webseiten erfahren Sie mehr über die NexFET MOSFETs und andere Power Management-Produkte von TI:
• Bestellen Sie Evaluierungsmodule und Muster zu den NexFET-Bausteinen: www.ti.com/mosfet-dcpr
• Videodemonstration zu den DualCool NexFET Power-MOSFETs: www.ti.com/mosfet-vpr
• Für die NexFET-Technologie optimierte DC/DC-Controller: www.ti.com/tps40303-pr, www.ti.com/tps40304-pr, www.ti.com/tps40305-pr.
• Das komplette Power Management-Portfolio von TI: www.ti.com/power-dcprde

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Informationen zur NexFET Power-MOSFET-Technologie von TI
TI hat im Februar 2009 die CICLON Semiconductor Device Corporation übernommen, ein Anbieter von innovativen, hoch effizienten Power Management-Lösungen mit Sitz in Bethlehem, Pennsylvania. Durch die Übernahme der NexFET Power-MOSFETs in sein bestehendes Power Management-Portfolio kann TI seinen Kunden Komplettlösungen für hoch effiziente Stromversorgunslösungen anbieten. Mit den DualCool™ NexFET Power-MOSFETs stellt TI die ersten neuen Bausteine aus dem Power-MOSFET-Angebot seit der CICLON-Akquisition vor.

Über Texas Instruments
Texas Instruments (NYSE: TXN) unterstützt seine Kunden dabei, Herausforderungen intelligent zu lösen und neue elektronische Anwendungen u. a. in den Bereichen Gesundheit, Sicherheit, Umwelt und Unterhaltung zu entwickeln. Als global tätiges Halbleiterunternehmen mit Fertigungs-, Entwicklungs- bzw. Vertriebsstandorten in mehr als 30 Ländern bietet TI seinen Kunden innovative Lösungen für die Zukunft. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com.

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