Die leistungsfähigen MOSFET-Treiber sorgen für Effizienz und Zuverlässigkeit und schützen Stromversorgungs-Systeme vor 100-V-Überspannungen
Texas Instruments erweitert sein Angebot an MOSFET-Treibern durch drei Gate-Treiber mit zwei Ausgängen. Die Bausteine der neuen Generation verbessern den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit isolierter Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte. Die Bausteine UCC27210 und UCC27211 sind die industrieweit ersten High und Low-seitig einsetzbaren MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen, die für bis zu 120 V geeignet sind und bis zu 4 A Ausgangsstrom liefern. Ihre Eingänge verkraften Gleichspannungen bis 10 V und können ohne Gleichrichterdioden direkt an Gatetreiber-Überträger angeschlossen werden. Mit ihrer extrem kurzen Signallaufzeit von 18 ns eignen sie sich für eine ganze Reihe von Halb und Vollbrücken-Topologien mit hoher Schaltfrequenz. Sie verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit von Stromversorgungen für Telekommunikations , Server und Industrie-Stromversorgungen. Muster, PSpice-Transientenmodelle und Evaluierungs-Module finden Sie unter: www.ti.com/ucc27210-preu.
Den industrieweit schnellsten 5 A Low-Side-Treiber für sekundärseitige Synchrongleichrichter-MOSFETs und IGBT-Leistungsschalter präsentiert TI mit dem UCC27524. Seine Pluspunkte sind die geringe Impulsverzerrung und der hohe Wirkungsgrad. Der Treiber ist für Betriebsspannungen von 4,5 V bis 18 V geeignet. Werden beide Ausgänge kombiniert, unterstützt er Anwendungen bis 10 A. Muster, PSpice-Transientenmodelle und Evaluierungs-Module finden Sie unter: www.ti.com/ucc27524-preu.
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