Die leistungsfähigen MOSFET-Treiber sorgen für Effizienz und Zuverlässigkeit und schützen Stromversorgungs-Systeme vor 100-V-Überspannungen

Texas Instruments erweitert sein Angebot an MOSFET-Treibern durch drei Gate-Treiber mit zwei Ausgängen. Die Bausteine der neuen Generation verbessern den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit isolierter Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte. Die Bausteine UCC27210 und UCC27211 sind die industrieweit ersten High und Low-seitig einsetzbaren MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen, die für bis zu 120 V geeignet sind und bis zu 4 A Ausgangsstrom liefern. Ihre Eingänge verkraften Gleichspannungen bis 10 V und können ohne Gleichrichterdioden direkt an Gatetreiber-Überträger angeschlossen werden. Mit ihrer extrem kurzen Signallaufzeit von 18 ns eignen sie sich für eine ganze Reihe von Halb und Vollbrücken-Topologien mit hoher Schaltfrequenz. Sie verbessern die Effizienz und Zuverlässigkeit von Stromversorgungen für Telekommunikations , Server und Industrie-Stromversorgungen. Muster, PSpice-Transientenmodelle und Evaluierungs-Module finden Sie unter: www.ti.com/ucc27210-preu.

Den industrieweit schnellsten 5 A Low-Side-Treiber für sekundärseitige Synchrongleichrichter-MOSFETs und IGBT-Leistungsschalter präsentiert TI mit dem UCC27524. Seine Pluspunkte sind die geringe Impulsverzerrung und der hohe Wirkungsgrad. Der Treiber ist für Betriebsspannungen von 4,5 V bis 18 V geeignet. Werden beide Ausgänge kombiniert, unterstützt er Anwendungen bis 10 A. Muster, PSpice-Transientenmodelle und Evaluierungs-Module finden Sie unter: www.ti.com/ucc27524-preu.

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Leistungsstarker DC/DC-Abwärtsregler mit integrierten FETs bietet einen Wirkungsgrad von 90 Prozent und Überspannungsschutz in kleinster Bauform

DALLAS (01. August 2011) –Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE: TXN) hat heute einen synchronen 50-mA/60-V-SWIFT™ Abwärtsregler mit hoher Effizienz, geringem Rauschpegel und einer Gesamtgröße von nur 125 mm2 eingeführt. Der Baustein TPS54062 integriert sowohl High-Side- als auch Low-Side-Power-MOSFETs und zeichnet sich durch eine sehr effiziente Energieumwandlung und einen hohen Überspannungsschutz für rauschempfindliche Anwendungen der Automatisierungstechnik, Sensorsteuerung, intelligenten Messtechnik, Telekommunikation sowie der Computer- und Konsumgüterbranche aus. Muster, ein PSpice™ Simulationsmodell und Entwicklungskits finden Sie unter www.ti.com/tps54062-preu.

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Der hocheffiziente Controller im 3×3 mm großen QFN-Gehäuse schützt Server und Telekommunikations-Equipment

Texas Instruments präsentiert heute den industrieweit kleinsten 18 V Hot-Swap-Controller mit Leistungsbegrenzung. Der Baustein schützt Server und Telekommunikations-Einrichtungen vor zu hohen Strömen, Überspannungen und Kurzschlüssen. Der Controller des Typs TPS24720 verfügt über eine programmierbare SOA-Absicherung (Safe Operating Area) für den verwendeten FET und besitzt ein Standardgehäuse der Bauart QFN mit 3 mm Kantenlänge. Er verbessert die System-Zuverlässigkeit und vereinfacht das Design von Hot-Swap-Systemen. Weitere Informationen sowie die Möglichkeit Muster, Modellierungs-Tools und Evaluierungs-Module zu bestellen finden Sie hier: www.ti.com/tps27420-preu.

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DALLAS, USA (14. März 2011) – Texas Instruments hat eine neue NexFET-Power Block-MOSFET Halbbrücke in einem platzsparenden SON-Gehäuse, mit einer Grundfläche von (3 mm × 3 mm), auf den Markt gebracht. Das neue Power Block-Paket CSD86330Q3D erreicht einen Wirkungsgrad von mehr als 90 Prozent bei 15 A und verbraucht im Vergleich zu Konkurrenzprodukten, die zwei diskrete Power-MOSFETs auf 3×3-mm²-QFN-Gehäusegrundfläche erfordern, nur halb so viel Platz. Zudem bietet der Power Block gegenüber alternativen Lösungen erhebliche Vorteile hinsichtlich Verlustleistung und Ausgangsstromleistung. Er kann für Server, Desktop-PCs, Industrie-PCs und Notebooks, Netzwerkgeräte, Mobilfunkinfrastrukturen, anspruchsvolle Consumer-Anwendungen und kommerzielle Stromversorgungen eingesetzt werden. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com/powerblock-preu.

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Der benutzerfreundliche Wandler mit 25A enthält NexFET™-Technologie, ist bis zu 5Prozent effizienter und schaltet mehr als 1,5-mal schneller als vergleichbare Lösungen.

Im Rahmen der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2011 stellte Texas Instruments Incorporated heute den kleinsten und effizientesten Abwärtsregler der Branche mit integrierten FETs vor, der bis zu 25 A für die Bereiche Telekommunikation, Netzwerktechnik, Industrie sowie andere Anwendungen unterstützt. Kommen Sie zum Stand (Nr. 608) von Texas Instruments und schauen Sie sich eine Live-Präsentation an. Produktdetails finden Sie unter: www.ti.com/tps56221-preu.

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Texas Instruments hat heute eine synchrone MOSFET-Halbbrückenschaltung vorgestellt, die über 90 Prozent Wirkungsgrad bei 25 A erzielt und dabei mit halb so viel Platz auskommt wie vergleichbare Leistungs-MOSFET-Bausteine anderer Hersteller. Der neue CSD86350Q5D Power Block von TI kombiniert in einem speziell entwickelten Gehäuse zwei asymmetrische NexFET Power MOSFETs und gewährleistet eine hohe Leistungsdichte bei synchronen Abwärtswandlern wie beispielsweise Servern, Desktop- und Notebook-PCs, Basisstationen, Switches, Router und Point-of-Load (POL)-Wandler für hohe Stromstärken. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com/powerblock-prde.

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Texas Instruments (TI) hat heute die branchenweit ersten Power-MOSFETs mit Standard-Footprint vorgestellt, bei denen die Wärmeabführung über die Gehäuseober- und Unterseite erfolgt und die sich somit besonders für DC/DC-Hochstromanwendungen eignen. Die DualCool™ NexFET™ Power-MOSFETs ermöglichen kleinere Endgeräte und bieten einen bis zu 50 Prozent höheren Stromdurchsatz durch den MOSFET sowie ein verbessertes Wärmemanagement im Vergleich zu handelsüblichen Standard MOSFET-Gehäusen. Weitere Informationen finden Sie unter www.ti.com/dualcool-prde.

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